001

Element X, onderin het schema, is:

a   een tekensymbool voor een reactantie
b   een kwartskristal dat zich capacitief gedraagt
c   een Foster-Seeley detector
d   een kwartskristal dat zich inductief gedraagt

-

002

Transistor Q2:

a   versterkt de laagfrequentspanning van Q1 ongeveer 10 x
b   versterkt de laagfrequentspanning van Q1 ongeveer 30 x
c   is bedoeld als scheidingstrap
d   versterkt de laagfrequentspanning van Q1 ongeveer 3 keer

-

004

De diodeschakeling D is hier een:

a   frequentiemodulator
b   bruggelijkrichter
c   balansmodulator
d   frequentievermenigvuldiger

-

005

R1 en R2:

a   dienen voor de tegenkoppeling van Q1
b   verzorgen de werkpuntinstelling van Q1
c   vormen een laagdoorlaatfilter met C1
d   dienen voor de juiste aanpassing van microfoon M

-

006

R18 en R19 :

a   dienen voor de tegenkoppeling van Q4
b   dienen voor een juiste aanpassing van filter F
c   verzorgen de werkpuntinstelling van Q4
d   vormen een laagdoorlaatfilter met C16 en R17

-

007

R12 en R13 :

a   dienen voor het dempen van C13
b   dienen voor het dempen van L2
c   dienen voor tegenkoppeling van Q3
d   verzorgen de werkpuntinstelling van Q3

-

003

Voor optimale onderdrukking van de draaggolf geldt:

a   C11 is ongeveer gelijk aan C10 en de loper van R11 is ongeveer in de middenpositie gedraaid
b   C10 is gelijk aan C1, en de loper van R1, is geheel naar boven gedraaid
c   C10 = 2 x C11 en de loper van R11 is geheel naar beneden gedraaid
d   C11 = 2 x C10 en de loper van R11 is ongeveer in de middenpositie gedraaid

-

008

In deze schakeling is Q4:

a   een hoogfrequent versterker
b   geschakeld in GCS
c   geschakeld in GBS
d   een scheidingsversterker\

-

009

Q1, Q2, Q3, Q4 en Q5 zijn:

a   N-kanaal veldeffecttransistoren
b   P-kanaal veldeffecttransistoren
c   NPN-transistoren
d   PNP-transistoren

-

FIGUUR 03

┘